SI3139KDWA-TP

SI3139KDWA-TP Micro Commercial Co


SI3139KDWA(SOT-363).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: DUAL P CHANNEL MOSFET,SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+26.75 грн
100+15.17 грн
500+9.42 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3139KDWA-TP Micro Commercial Co

Description: DUAL P CHANNEL MOSFET,SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI3139KDWA-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3139KDWA-TP Виробник : Micro Commercial Components SI3139KDWA(SOT-363).pdf N-Channel Mosfets
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3139KDWA-TP SI3139KDWA-TP Виробник : Micro Commercial Co SI3139KDWA(SOT-363).pdf Description: DUAL P CHANNEL MOSFET,SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.