SI3425DV-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3425DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3425DV-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI3425DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Інші пропозиції SI3425DV-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3425DV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3425DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI3425DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI3425DV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3425DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: VISHAY - SI3425DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI3425DV-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)