Продукція > IR > SI3443DVTR

SI3443DVTR IR

Si3443DV.pdf
Виробник: IR

на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3443DVTR IR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Cut Tape (CT).

Інші пропозиції SI3443DVTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3443DVTR SI3443DVTR Infineon Technologies Si3443DV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DVTR Si3443DV.pdf
SI3443DVTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.