SI3445DV Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 30310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2404+ | 8.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3445DV Fairchild Semiconductor
Description: P-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3445DV за ціною від 9.97 грн до 9.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI3445DV | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SI3445DV - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 |
на замовлення 3529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
SI3445DV | Виробник : VISHAY |
на замовлення 66200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
SI3445DV | Виробник : VISHAY | 05+ DIP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
SI3445DV | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin SuperSOT T/R |
товар відсутній |
||||||
SI3445DV | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH |
товар відсутній |
||||||
SI3445DV | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET |
товар відсутній |