Продукція > ON SEMICONDUCTOR / FAIRCHILD > SI3457DV

SI3457DV ON Semiconductor / Fairchild

Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET SSOT6 SINGLE PCH

на замовлення 4181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI3457DV ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SI3457DV

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI3457DV	Виробник : VISHAY		на замовлення 15746 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI3457DV	Виробник : VISHAY	2004	на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI3457DV	Виробник : VISHAY	SOT-163	на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI3457DV	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI3457DV	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI3457DV	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.