Продукція > UMW > SI4401BDY
SI4401BDY

SI4401BDY UMW

72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.85 грн
10+39.93 грн
100+25.93 грн
500+18.68 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4401BDY UMW

Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V.

Інші пропозиції SI4401BDY за ціною від 36.74 грн до 36.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4401BDY Виробник : Siliconix 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 8,7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SI4401BDY TSI4401bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY SI4401BDY Виробник : UMW 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.