si4410DY

si4410DY Fairchild Semiconductor


PHGLS19792-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 2984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
523+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис si4410DY Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V.

Інші пропозиції si4410DY за ціною від 56.58 грн до 68.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4410DY Виробник : ON Semiconductor DS_261_SI4410DY.pdf PHGLS19792-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f SI4410DY
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
446+68.17 грн
500+61.35 грн
1000+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DY si4410DY Виробник : onsemi DS_261_SI4410DY.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DY si4410DY Виробник : onsemi DS_261_SI4410DY.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DY si4410DY Виробник : Infineon Technologies si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DY si4410DY Виробник : onsemi / Fairchild DS_261_SI4410DY.pdf PHGLS19792-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f MOSFETs 30V N-Ch. FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DY si4410DY Виробник : Vishay / Siliconix DS_261_SI4410DY.pdf PHGLS19792-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f MOSFETs REPLACED WITH SI4410DY-REVA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si4410DY Виробник : NXP Semiconductors DS_261_SI4410DY.pdf PHGLS19792-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.