SI4420DY onsemi

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4420DY onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta).

Інші пропозиції SI4420DY

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI4420DY	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SI4420DY	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SI4420DY	Виробник : ON Semiconductor / Fairchild	MOSFET 30V 400a N-Ch MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SI4420DY	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFET 30V 12.5A 2.5W	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.