SI4420DYTRPBF

SI4420DYTRPBF Infineon / IR


si4420dypbf-1733024.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
на замовлення 2916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4420DYTRPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4420DYTRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4420DYTRPBF Виробник : IR si4420dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535684734c2981 SOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4420DYTRPBF SI4420DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4420dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
SI4420DYTRPBF SI4420DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4420dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535684734c2981 Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4420DYTRPBF SI4420DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4420dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535684734c2981 Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4420DYTRPBF Виробник : Nexperia USA Inc. si4420dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535684734c2981 Description: SI4420DY20V-30N-CHANNPOWMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній