Технічний опис SI4435BDY-T1-E3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4435BDY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4435BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 0614 |
на замовлення 955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ SOP8 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOP 06+ |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOP8 0908+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
 |
SI4435BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4435DDY-GE3 |
товару немає в наявності |