Наименование: SI4435DYPBF

код товара: 74332
SI4435DYPBF

DOWNLOAD si4435dypbf.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
SI4435DYPBF SI4435DYPBF
код товара: 74332
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
SI4435DYPBF SI4435DYPBF Infineon Technologies Americas Corp. MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 60nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8A (Tc); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Standard; Supplier Device Package : 8-SO; Package / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width); Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 2.5W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 2320pF @ 15V; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide под заказ 10216 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI4435DYPBF Infineon SI4435DYPBF
количество в упаковке: 90 шт
под заказ 140 шт
срок поставки 5-10 дней дня (дней)
900+ 19.6 грн
SI4435DYPBF SI4435DYPBF Infineon / IR MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC под заказ 2367 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
41+ 43.94 грн
49+ 36.86 грн
100+ 23.79 грн
1000+ 18.98 грн
SI4435DYPBF IOR под заказ 1263 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI4435DYPBF 'IR' 'Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin'
количество в упаковке: 95 шт
под заказ 1203 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)

Техническое описание SI4435DYPBF

Цена SI4435DYPBF

от 18.98 грн до 43.94 грн
Asers Shop ©