Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

si4435dy.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4435DYTRPBF за ціною від 19.41 грн до 89.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.09 грн
8000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
910+34.18 грн
1000+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.34 грн
250+39.10 грн
1000+26.36 грн
2000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.06 грн
10+44.23 грн
50+32.10 грн
100+28.22 грн
250+24.18 грн
500+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+73.62 грн
262+47.51 грн
500+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+79.07 грн
14+51.06 грн
25+50.54 грн
100+31.66 грн
250+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
10+55.12 грн
50+38.53 грн
100+33.87 грн
250+29.02 грн
500+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dypbf.pdf MOSFETs HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
на замовлення 12786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.87 грн
10+48.75 грн
100+31.21 грн
500+26.08 грн
1000+23.60 грн
2000+22.59 грн
4000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.83 грн
50+54.34 грн
250+39.10 грн
1000+26.36 грн
2000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 13242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.86 грн
10+54.26 грн
100+35.74 грн
500+26.08 грн
1000+23.68 грн
2000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.