Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

si4435dy.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4435DYTRPBF за ціною від 19.42 грн до 87.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
910+33.54 грн
1000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 910
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.32 грн
250+38.36 грн
1000+25.86 грн
2000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.92 грн
10+46.89 грн
39+24.04 грн
50+23.96 грн
107+22.69 грн
1000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.45 грн
14+51.10 грн
25+50.24 грн
100+30.67 грн
250+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.27 грн
10+46.10 грн
100+33.23 грн
500+25.25 грн
1000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dypbf.pdf MOSFETs HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.04 грн
10+48.35 грн
100+30.62 грн
500+25.59 грн
1000+22.85 грн
2000+21.71 грн
4000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.10 грн
10+58.43 грн
39+28.85 грн
50+28.75 грн
107+27.23 грн
1000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.15 грн
50+53.32 грн
250+38.36 грн
1000+25.86 грн
2000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dy.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Виробник : Infineon Technologies si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.