SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 16.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI4435DYTRPBF за ціною від 18.65 грн до 84.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4435DYTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4435DYTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 9641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V |
на замовлення 20514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V |
на замовлення 8806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI4435DYTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
SI4435DYTRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 3905 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI4435DYTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |