Продукція > VISHAY > SI4446DYT1E3

SI4446DYT1E3 VISHAY

Виробник: VISHAY

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SI4446DYT1E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI4446DYT1E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI4446DY-T1-E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4446DY-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4446DY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4446DY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.