SI4463BDY-E3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 101.58 грн |
| 5+ | 79.34 грн |
| 18+ | 65.08 грн |
| 47+ | 61.31 грн |
| 500+ | 58.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4463BDY-E3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -9.8A, Pulsed drain current: -50A, Power dissipation: 3W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 20mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 56nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SI4463BDY-E3 за ціною від 141.37 грн до 141.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4463BDY-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.8A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -9.8A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|