Технічний опис SI4463DY ON Semiconductor
Description: P-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI4463DY за ціною від 58.60 грн до 105.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4463DY | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 142228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI4463DY | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 18300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI4463DY | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI4463DY | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 11635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI4463DY | Fairchild Semiconductor |
Description: P-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V |
на замовлення 183632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| SI4463DY | FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4463DY |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 142228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 105.87 грн |
| 500+ | 95.28 грн |
| 1000+ | 87.87 грн |
| 10000+ | 75.55 грн |
| 100000+ | 58.60 грн |
| SI4463DY |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 18300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 105.87 грн |
| 500+ | 95.28 грн |
| 1000+ | 87.87 грн |
| 10000+ | 75.55 грн |
| SI4463DY |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 105.87 грн |
| 500+ | 95.28 грн |
| 1000+ | 87.87 грн |
| SI4463DY |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 105.87 грн |
| 500+ | 95.28 грн |
| 1000+ | 87.87 грн |
| 10000+ | 75.55 грн |
| SI4463DY |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V
на замовлення 183632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 73.76 грн |



