на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 31.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4464DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4464DY-T1-GE3 за ціною від 43.28 грн до 141.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V |
на замовлення 3188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 9303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 4566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4464DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4464DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |