SI4467DY ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - SI4467DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 378+ | 83.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4467DY ONSEMI
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI4467DY за ціною від 103.93 грн до 115.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4467DY | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SI4467DY | Виробник : Fairchild |
04+ SOP-8 |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| SI4467DY | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 5318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
SI4467DY | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |