Продукція > ONSEMI > SI4532DY
SI4532DY

SI4532DY onsemi

si4532dy-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.71 грн
5000+24.75 грн
7500+23.77 грн
12500+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4532DY onsemi

Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI4532DY за ціною від 27.97 грн до 118.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4532DY SI4532DY ON Semiconductor si4532dy-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.82 грн
25+40.18 грн
100+38.12 грн
250+34.73 грн
500+32.79 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY ON Semiconductor si4532dy-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+40.82 грн
353+40.18 грн
358+39.54 грн
364+37.51 грн
500+34.15 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY ON Semiconductor si4532dy-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+44.95 грн
1000+42.87 грн
2500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY ONSEMI 2298134.pdf Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY ON Semiconductor si4532dy-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
672+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 672 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY onsemi si4532dy-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+62.46 грн
100+41.63 грн
500+30.67 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY onsemi si4532dy-d.pdf MOSFETs 30V Dual N/P FET Enhancement Mode
на замовлення 4917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.11 грн
10+71.53 грн
100+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY SI4532DY ONSEMI 2298134.pdf Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.13 грн
11+74.90 грн
100+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY si4532dy-d.pdf
SI4532DY
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+40.82 грн
25+40.18 грн
100+38.12 грн
250+34.73 грн
500+32.79 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY si4532dy-d.pdf
SI4532DY
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
347+40.82 грн
353+40.18 грн
358+39.54 грн
364+37.51 грн
500+34.15 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY si4532dy-d.pdf
SI4532DY
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
315+44.95 грн
1000+42.87 грн
2500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY 2298134.pdf
SI4532DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY si4532dy-d.pdf
SI4532DY
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
672+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 672 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY si4532dy-d.pdf
SI4532DY
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.06 грн
10+62.46 грн
100+41.63 грн
500+30.67 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY si4532dy-d.pdf
SI4532DY
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V Dual N/P FET Enhancement Mode
на замовлення 4917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.11 грн
10+71.53 грн
100+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532DY 2298134.pdf
SI4532DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+118.13 грн
11+74.90 грн
100+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.