SI4532DY onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.24 грн |
| 5000+ | 25.23 грн |
| 7500+ | 24.23 грн |
| 12500+ | 22.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4532DY onsemi
Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI4532DY за ціною від 25.55 грн до 120.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4532DY | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4532DY | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4532DY | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4532DY | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4532DY | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4532DY | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 20667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4532DY | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V Dual N/P FET Enhancement Mode |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4532DY | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4532DY | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |