Продукція > VISHAY > SI4562DYT1E3

SI4562DYT1E3 VISHAY

Виробник: VISHAY

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SI4562DYT1E3 VISHAY

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4562DYT1E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
Si4562DY-T1-E3	Виробник : VISHAY	07+ SO-8	на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
Si4562DY-T1-E3	Виробник : VISHAY	SO-8	на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4562DY-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.1A/6.2A 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
Si4562DY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
Si4562DY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.