Продукція > VISHAY > SI4812BDYT1E3

SI4812BDYT1E3 VISHAY



Виробник: VISHAY

на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4812BDYT1E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4812BDYT1E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4812BDY-T1-E3 VISHAY 73038.pdf SOP8 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4812BDY-T1-E3 73038.pdf
Виробник: VISHAY
SOP8 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.