Продукція > SILICONIX > SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3 SILICONIX

Виробник: SILICONIX
09+

на замовлення 3388 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4812BDY-T1-E3 SILICONIX

Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4812BDY-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI4812BDYT1E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4812BDY-T1-E3	Виробник : VISHAY	08NOPB	на замовлення 3370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4812BDY-T1-E3	Виробник : VISHAY	SOP8 06+	на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4812BDY-T1-E3	Виробник : VISHAY	SOP8 09+	на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4812BDY-T1-E3 Код товару: 173644 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4812BDY-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4812BDY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4812BDY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4812BDY-T1-E3	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFET 30V 9A 2.5W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.