Технічний опис Si4831DY-T1-E3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.
Інші пропозиції Si4831DY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4831DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
SI4831DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
Si4831DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |