Продукція > VISHAY > SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SI4834BDY-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції SI4834BDY-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI4834BDYT1E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4834BDY-T1-E3	Виробник : VISHAY	09+	на замовлення 628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4834BDY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4834BDY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.