
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 164.73 грн |
10+ | 162.24 грн |
25+ | 159.75 грн |
50+ | 151.64 грн |
100+ | 138.18 грн |
250+ | 130.45 грн |
500+ | 128.31 грн |
1000+ | 126.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4864DY-T1-E3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W, Polarisation: unipolar, Drain current: 25A, Drain-source voltage: 20V, Power dissipation: 3.5W, Case: SO8, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 70nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 60A, On-state resistance: 4.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4864DY-T1-E3 за ціною від 135.88 грн до 327.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4864DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
Si4864DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
SI4864DY -T1-E3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
SI4864DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
Si4864DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
Si4864DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
SI4864DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
Si4864DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W Polarisation: unipolar Drain current: 25A Drain-source voltage: 20V Power dissipation: 3.5W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
![]() |
Si4864DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
Si4864DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W Polarisation: unipolar Drain current: 25A Drain-source voltage: 20V Power dissipation: 3.5W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |