на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 165.13 грн |
| 10+ | 162.63 грн |
| 25+ | 160.13 грн |
| 50+ | 152.00 грн |
| 100+ | 138.51 грн |
| 250+ | 130.77 грн |
| 500+ | 128.62 грн |
| 1000+ | 126.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4864DY-T1-E3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W, Polarisation: unipolar, Drain current: 25A, Drain-source voltage: 20V, Power dissipation: 3.5W, Case: SO8, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 70nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 60A, On-state resistance: 4.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4864DY-T1-E3 за ціною від 136.21 грн до 335.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4864DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
Si4864DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20 Volt 25 Amp 3.5W |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI4864DY -T1-E3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| SI4864DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| Si4864DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| Si4864DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
SI4864DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| Si4864DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W Polarisation: unipolar Drain current: 25A Drain-source voltage: 20V Power dissipation: 3.5W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
Si4864DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| Si4864DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W Polarisation: unipolar Drain current: 25A Drain-source voltage: 20V Power dissipation: 3.5W Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |