SI4914DY-T1-E3
Код товару: 52359
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SI4914DY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4914DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SI4914DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 67500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
SI4914DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/5.7A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W, 1.16W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
