SI4925BDY

Виробник:

на замовлення 335 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SI4925BDY

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -5.7A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 41mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції SI4925BDY

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI4925BDY Код товару: 131064 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові P-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4925BDY	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4925BDY	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFETs 30V 7.1A 2W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4925BDY	Виробник : VISHAY	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.