Продукція > SI4 > SI4925BDY

SI4925BDY


Виробник:

на замовлення 335 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4925BDY

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -5.7A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 41mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.

Інші пропозиції SI4925BDY

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4925BDY
Код товару: 131064
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI4925BDY SI4925BDY Виробник : Vishay 72001.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N
товар відсутній
SI4925BDY SI4925BDY Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET 30V 7.1A 2W
товар відсутній
SI4925BDY SI4925BDY Виробник : VISHAY Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній