SI4925BDY
Виробник:
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4925BDY
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -5.7A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 41mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції SI4925BDY
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI4925BDY Код товару: 131064 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||
SI4925BDY | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N |
товар відсутній |
||
SI4925BDY | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 7.1A 2W |
товар відсутній |
||
SI4925BDY | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |