Технічний опис SI4953ADYT1E3 VISHAY
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8SOIC, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4953ADYT1E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4953ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 0716 |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4953ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4953ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SOP8 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4953ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SOP8 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4953ADY-T1-E3 | Виробник : VTSHAY | 09+ |
на замовлення 42518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI4953ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
SI4953ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|
 |
SI4953ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3 |
товару немає в наявності |