Технічний опис SI4963DY ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4963DY за ціною від 67.35 грн до 94.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4963DY | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 39662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SI4963DY | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 40594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| SI4963DY | FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 868 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4963DY |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 39662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 373+ | 94.98 грн |
| 500+ | 85.47 грн |
| 1000+ | 78.83 грн |
| 10000+ | 67.77 грн |
| SI4963DY |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 298+ | 67.35 грн |