Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > SI5618-TP
SI5618-TP

SI5618-TP Micro Commercial Co

SI5618(SOT-23).pdf
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.30 грн
6000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5618-TP Micro Commercial Co

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI5618-TP за ціною від 7.17 грн до 40.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5618-TP SI5618-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) SI5618(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.16 грн
500+11.20 грн
1000+9.28 грн
5000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5618-TP SI5618-TP Micro Commercial Co SI5618(SOT-23).pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.90 грн
16+20.19 грн
100+12.14 грн
500+10.54 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI5618-TP SI5618-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) SI5618(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.78 грн
33+25.19 грн
100+16.16 грн
500+11.20 грн
1000+9.28 грн
5000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI5618-TP SI5618(SOT-23).pdf
SI5618-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.16 грн
500+11.20 грн
1000+9.28 грн
5000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5618-TP SI5618(SOT-23).pdf
SI5618-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.90 грн
16+20.19 грн
100+12.14 грн
500+10.54 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI5618-TP SI5618(SOT-23).pdf
SI5618-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI5618-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.78 грн
33+25.19 грн
100+16.16 грн
500+11.20 грн
1000+9.28 грн
5000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.