на замовлення 5219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.66 грн |
| 10+ | 135.11 грн |
| 100+ | 88.68 грн |
| 250+ | 77.31 грн |
| 500+ | 73.45 грн |
| 1000+ | 69.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7110DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 7.8mΩ, Power dissipation: 3.8W, Drain current: 21.1A, Pulsed drain current: 60A, Drain-source voltage: 20V, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7110DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI7110DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7110DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7110DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Gate charge: 21nC On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 3.8W Drain current: 21.1A Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7110DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Gate charge: 21nC On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 3.8W Drain current: 21.1A Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 20V Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |