SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.85 грн |
| 10+ | 113.34 грн |
| 100+ | 78.58 грн |
| 250+ | 75.25 грн |
| 500+ | 65.66 грн |
| 1000+ | 55.01 грн |
| 3000+ | 53.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 17.8A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 8.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7112DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 0843+ |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 622 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|
|
|
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|
| SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |