SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.66 грн |
| 10+ | 129.13 грн |
| 100+ | 85.13 грн |
| 250+ | 74.12 грн |
| 500+ | 70.46 грн |
| 1000+ | 63.26 грн |
| 3000+ | 61.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 17.8A, On-state resistance: 8.2mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 27nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 60A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7112DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 0843+ |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 622 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
товару немає в наявності |