SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.84 грн |
| 10+ | 197.77 грн |
| 100+ | 138.15 грн |
| 500+ | 114.18 грн |
| 1000+ | 94.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W, Mounting: SMD, On-state resistance: 13.5mΩ, Power dissipation: 5W, Drain current: 15A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 50A, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 15nC.
Інші пропозиції SI7390DP-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7390DP-T1-E3 | VISHAY |
 |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7390DP-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)