SI7390DP-T1-E3

SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors


si7390dp-1765541.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 646-655 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.23 грн
10+213.20 грн
100+148.92 грн
500+123.09 грн
1000+101.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SI7390DP-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7390DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7390dp.pdf
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7390dp.pdf 06PB
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7390dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-E3 SI7390DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7390dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7390DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7390dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.