
SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 646-655 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 240.23 грн |
10+ | 213.20 грн |
100+ | 148.92 грн |
500+ | 123.09 грн |
1000+ | 101.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7390DP-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SI7390DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|
SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |