SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 646-655 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.45 грн |
| 10+ | 214.29 грн |
| 100+ | 149.68 грн |
| 500+ | 123.72 грн |
| 1000+ | 102.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 15A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 13.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®.
Інші пропозиції SI7390DP-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
06PB |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI7390DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |