SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.37 грн |
| 10+ | 194.69 грн |
| 100+ | 135.99 грн |
| 500+ | 112.40 грн |
| 1000+ | 92.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7390DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W, Mounting: SMD, On-state resistance: 13.5mΩ, Power dissipation: 5W, Drain current: 15A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 50A, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 15nC.
Інші пропозиції SI7390DP-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI7390DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7390DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Mounting: SMD On-state resistance: 13.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC |
товару немає в наявності |