SI9948AEY UMW
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.65 грн |
| 10+ | 51.17 грн |
| 100+ | 33.59 грн |
| 500+ | 24.41 грн |
| 1000+ | 22.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9948AEY UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI9948AEY
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI9948AEY | UMW |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SI9948AEY | Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 2.6A 2.4W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI9948AEY |
|
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI9948AEY |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 2.6A 2.4W
MOSFET 60V 2.6A 2.4W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.