SIA112LDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V
MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V
на замовлення 10935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.75 грн |
| 10+ | 42.93 грн |
| 100+ | 25.44 грн |
| 500+ | 21.32 грн |
| 1000+ | 18.67 грн |
| 3000+ | 15.74 грн |
| 6000+ | 15.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA112LDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 8.8A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 15.6W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 135mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 11.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 6000 шт.
Інші пропозиції SIA112LDJ-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIA112LDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
товар відсутній |
||
| SIA112LDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 15.6W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 6000 шт |
товар відсутній |
||
| SIA112LDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 15.6W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |