Продукція > VISHAY > SIA112LDJ-T1-GE3
SIA112LDJ-T1-GE3

SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.88 грн
500+23.74 грн
1000+19.59 грн
5000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIA112LDJ-T1-GE3 за ціною від 16.83 грн до 75.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA112LDJ-T1-GE3 SIA112LDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PowerPAK SC-70, 119 mohm a. 10V, 135 mohm a. 4.5V
на замовлення 10935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.52 грн
10+48.77 грн
100+28.90 грн
500+24.22 грн
1000+21.20 грн
3000+17.88 грн
6000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3 SIA112LDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SIA112LDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.8 A, 0.099 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.76 грн
17+51.72 грн
100+34.88 грн
500+23.74 грн
1000+19.59 грн
5000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA112LDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.