Результат пошуку "sia433edj-t1-ge3." : 5
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| SIA433EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 19W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIA433EDJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.14 грн |
| SIA433EDJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.12 грн |
| SIA433EDJ-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIA433EDJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIA433EDJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.