SIA433EDJ-T1-GE3. VISHAY

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 12, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, Verlustleistung Pd: 3.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500, Verlustleistung: 3.5, Bauform - Transistor: PowerPAK SC70, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, Wandlerpolarität: P Channel, Kanaltyp: P Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).