Результат пошуку "sia433edj-t1-ge3." : 8

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY 2148600.pdf Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+35.65 грн
23+30.71 грн
25+30.39 грн
100+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 2148600.pdf
SIA433EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
SIA433EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.65 грн
23+30.71 грн
25+30.39 грн
100+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
SIA433EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
SIA433EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
SIA433EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
SIA433EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
SIA433EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.