Продукція > VISHAY > SIA433EDJ-T1-GE3
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay


sia433edj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIA433EDJ-T1-GE3 за ціною від 14.94 грн до 54.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2148600.pdf Description: VISHAY - SIA433EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.015 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia433edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.80 грн
6000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
432+28.30 грн
499+24.47 грн
504+24.22 грн
650+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.82 грн
23+26.55 грн
25+26.28 грн
100+21.91 грн
250+20.08 грн
500+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia433edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.34 грн
10+41.31 грн
100+28.58 грн
500+22.41 грн
1000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia433edj.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 9165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.24 грн
10+46.53 грн
100+27.96 грн
500+23.32 грн
1000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia433edj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.