SIB5215DK-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIB5215DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIB5215DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 35.12 грн |
| 32+ | 26.72 грн |
| 100+ | 19.00 грн |
| 500+ | 14.02 грн |
| 1000+ | 10.62 грн |
| 5000+ | 9.23 грн |
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Технічний опис SIB5215DK-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIB5215DK-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-75, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIB5215DK-T1-GE3 за ціною від 7.64 грн до 42.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIB5215DK-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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