SICB1060P-TP MCC (Micro Commercial Components)


SICB1060P(D2PAK).pdf
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.75 грн
10+256.59 грн
100+184.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SICB1060P-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SICB1060P-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SICB1060P-TP SICB1060P-TP MCC (Micro Commercial Components) SICB1060P(D2PAK).pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICB1060P-TP SICB1060P-TP Micro Commercial Components (MCC) SICB1060P(D2PAK).pdf SiC Schottky Diodes 650V,10A,SIC SBD,TO-263 Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICB1060P-TP SICB1060P(D2PAK).pdf
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICB1060P-TP SICB1060P(D2PAK).pdf
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC Schottky Diodes 650V,10A,SIC SBD,TO-263 Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.