Продукція > MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) > SICB1060P-TP
SICB1060P-TP

SICB1060P-TP MCC (Micro Commercial Components)

SICB1060P(D2PAK).pdf
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+395.04 грн
10+254.21 грн
100+182.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SICB1060P-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V.

Інші пропозиції SICB1060P-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SICB1060P-TP SICB1060P-TP MCC (Micro Commercial Components) SICB1060P(D2PAK).pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICB1060P-TP SICB1060P-TP Micro Commercial Components (MCC) SICB1060P(D2PAK).pdf SiC Schottky Diodes 650V,10A,SIC SBD,TO-263 Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICB1060P-TP SICB1060P(D2PAK).pdf
SICB1060P-TP
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 44 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICB1060P-TP SICB1060P(D2PAK).pdf
SICB1060P-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC Schottky Diodes 650V,10A,SIC SBD,TO-263 Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.