SICBG040N120H-TP

SICBG040N120H-TP MCC (Micro Commercial Components)


SICBG040N120H(TO-263-7L(A)).pdf Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+683.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SICBG040N120H-TP MCC (Micro Commercial Components)

Description: SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA, Supplier Device Package: TO-263-7LA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V.

Інші пропозиції SICBG040N120H-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SICBG040N120H-TP SICBG040N120H-TP Виробник : MCC (Micro Commercial Components) SICBG040N120H(TO-263-7L(A)).pdf Description: SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-263-7LA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.