Продукція > MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) > SICU02120B-TP
SICU02120B-TP

SICU02120B-TP Micro Commercial Components (MCC)

SICU02120B(DPAK).pdf
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC Schottky Diodes 1200V,2A,SIC 27A 18A 50W
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.83 грн
10+192.48 грн
100+124.48 грн
500+110.41 грн
1000+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SICU02120B-TP Micro Commercial Components (MCC)

Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції SICU02120B-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SICU02120B-TP SICU02120B-TP Micro Commercial Co SICU02120B(DPAK).pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICU02120B-TP SICU02120B-TP Micro Commercial Co SICU02120B(DPAK).pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICU02120B-TP SICU02120B(DPAK).pdf
SICU02120B-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICU02120B-TP SICU02120B(DPAK).pdf
SICU02120B-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.