SICW025N120H-BP

SICW025N120H-BP MCC (Micro Commercial Components)


SICW025N120H(TO-247AB).pdf Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1192.12 грн
10+864.20 грн
360+808.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SICW025N120H-BP MCC (Micro Commercial Components)

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SICW025N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247AB, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SICW025N120H-BP за ціною від 802.18 грн до 1272.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SICW025N120H-BP SICW025N120H-BP Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SICW025N120H(TO-247AB).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SICW025N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247AB
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1229.67 грн
5+1157.05 грн
10+1084.42 грн
50+1006.20 грн
100+803.59 грн
250+802.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N120H-BP SICW025N120H-BP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) SICW025N120H_TO_247AB_-3478416.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1272.85 грн
10+1106.61 грн
25+960.80 грн
100+868.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.