SICW025N120H-BP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SICW025N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247AB
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1206.12 грн |
| 5+ | 1134.89 грн |
| 10+ | 1063.65 грн |
| 50+ | 986.93 грн |
| 100+ | 788.20 грн |
| 250+ | 786.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW025N120H-BP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SICW025N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247AB, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SICW025N120H-BP за ціною від 836.67 грн до 1224.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW025N120H-BP | Виробник : MCC (Micro Commercial Components) |
Description: SIC MOSFET,TO-247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA Supplier Device Package: TO-247AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SICW025N120H-BP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB |
товару немає в наявності |