SICW025N120H4-BP MCC (Micro Commercial Components)
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1200.08 грн |
| 10+ | 870.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW025N120H4-BP MCC (Micro Commercial Components)
Description: SIC MOSFET,TO-247-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA.
Інші пропозиції SICW025N120H4-BP за ціною від 759.22 грн до 1282.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW025N120H4-BP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4 |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|