SICW025N120H4-BP Micro Commercial Components (MCC)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1199.83 грн |
| 10+ | 839.51 грн |
| 100+ | 635.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW025N120H4-BP Micro Commercial Components (MCC)
Description: SIC MOSFET,TO-247-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SICW025N120H4-BP за ціною від 846.43 грн до 1238.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW025N120H4-BP | Виробник : MCC (Micro Commercial Components) |
 Description: SIC MOSFET,TO-247-4Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|