SICW028N120A4-BP Micro Commercial Co
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 1200 V 80A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 16V, 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1729.59 грн |
| 10+ | 1193.78 грн |
| 25+ | 1071.05 грн |
| 100+ | 936.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW028N120A4-BP Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 1200 V 80A TO247-4, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 16V, 20V, Supplier Device Package: TO-247-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15mA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc).
Інші пропозиції SICW028N120A4-BP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW028N120A4-BP | Micro Commercial Components (MCC) |
SiC MOSFETs |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SICW028N120A4-BP |
|
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)