SICW040N120H-BP Micro Commercial Components (MCC)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 840.28 грн |
| 10+ | 580.52 грн |
| 100+ | 405.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW040N120H-BP Micro Commercial Components (MCC)
Description: SIC MOSFET,TO-247AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA, Supplier Device Package: TO-247AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SICW040N120H-BP за ціною від 585.01 грн до 873.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW040N120H-BP | Виробник : MCC (Micro Commercial Components) |
 Description: SIC MOSFET,TO-247ABPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA Supplier Device Package: TO-247AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|