SICW040N120H-BP MCC (Micro Commercial Components)
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 673.18 грн |
| 10+ | 604.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SICW040N120H-BP MCC (Micro Commercial Components)
Description: SIC MOSFET,TO-247AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA, Supplier Device Package: TO-247AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SICW040N120H-BP за ціною від 431.23 грн до 919.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SICW040N120H-BP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|