Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 11387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIDR610DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIDR610DP-T1-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SIDR610DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SIDR610DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-GE3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.