SIEH4800EW-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 1150 µohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 381A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK BWL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 233.53 грн |
| 500+ | 200.82 грн |
| 1000+ | 179.03 грн |
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Технічний опис SIEH4800EW-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 1150 µohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 417W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK BWL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm.
Інші пропозиції SIEH4800EW-T1-GE3 за ціною від 171.27 грн до 481.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIEH4800EW-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SIEH4800EW-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 1150 µohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 417W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK BWL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIEH4800EW-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 467.06 грн |
| 10+ | 309.63 грн |
| 100+ | 194.53 грн |
| 500+ | 180.44 грн |
| 1000+ | 174.09 грн |
| 3000+ | 171.27 грн |
| SIEH4800EW-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 1150 µohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 381A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK BWL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 1150 µohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 381A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK BWL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 481.04 грн |
| 50+ | 323.16 грн |
| 100+ | 233.53 грн |
| 500+ | 200.82 грн |
| 1000+ | 179.03 грн |