на замовлення 1900 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 424.00 грн |
| 10+ | 351.10 грн |
| 25+ | 287.65 грн |
| 100+ | 246.45 грн |
| 250+ | 233.21 грн |
| 500+ | 219.23 грн |
| 1000+ | 188.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIEH4800EW-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: PowerPAK BWL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIEH4800EW-T1-GE3 за ціною від 225.66 грн до 449.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIEH4800EW-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PowerPAK BWL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIEH4800EW-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PowerPAK BWL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|