SIEH4800EW-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: PowerPAK BWL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 423.23 грн |
| 50+ | 353.94 грн |
| 100+ | 286.33 грн |
| 500+ | 236.42 грн |
| 1000+ | 186.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIEH4800EW-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: PowerPAK BWL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIEH4800EW-T1-GE3 за ціною від 186.75 грн до 428.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIEH4800EW-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIEH4800EW-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 381 A, 0.00115 ohm, PowerPAK BWL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: PowerPAK BWL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIEH4800EW-T1-GE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|