Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHF730AL-GE3
SIHF730AL-GE3

SIHF730AL-GE3 Vishay / Siliconix


Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF730AL-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 22A; 74W; I2PAK,TO262, Mounting: THT, Case: I2PAK; TO262, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 400V, Gate charge: 22nC, On-state resistance: 1Ω, Power dissipation: 74W, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 22A.

Інші пропозиції SIHF730AL-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHF730AL-GE3 SIHF730AL-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 22A; 74W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3
SIHF730AL-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF730AL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 22A; 74W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.