SIHF9530S-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Case: D2PAK; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 55.57 грн |
| 10+ | 43.18 грн |
| 25+ | 38.10 грн |
| 100+ | 34.29 грн |
| 500+ | 32.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF9530S-GE3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W, Case: D2PAK; TO263, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Pulsed drain current: -48A, Drain current: -8.2A, Gate charge: 38nC, On-state resistance: 0.3Ω, Power dissipation: 88W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHF9530S-GE3 за ціною від 38.96 грн до 66.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHF9530S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Case: D2PAK; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -48A Drain current: -8.2A Gate charge: 38nC On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 88W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHF9530S-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SIHF9530S-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V |
товару немає в наявності |