SIHF9530S-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 57.77 грн |
| 9+ | 45.06 грн |
| 25+ | 39.77 грн |
| 26+ | 34.49 грн |
| 72+ | 32.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF9530S-GE3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -8.2A, On-state resistance: 0.3Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 88W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 38nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -48A, Mounting: SMD, Case: D2PAK; TO263, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHF9530S-GE3 за ціною від 39.54 грн до 69.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHF9530S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W Drain-source voltage: -100V Drain current: -8.2A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 88W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -48A Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 946 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHF9530S-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |