Продукція > VISHAY > SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3

SIHF9530S-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.57 грн
10+45.52 грн
25+40.17 грн
100+36.15 грн
500+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF9530S-GE3 VISHAY

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W, Power dissipation: 88W, Gate charge: 38nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -8.2A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -100V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; TO263, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: SMD, Pulsed drain current: -48A.

Інші пропозиції SIHF9530S-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.