SIHF9530S-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -48A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.17 грн |
| 9+ | 48.22 грн |
| 25+ | 42.62 грн |
| 26+ | 38.21 грн |
| 70+ | 36.51 грн |
| 500+ | 35.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF9530S-GE3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -8.2A, Power dissipation: 88W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 38nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: -48A.
Інші пропозиції SIHF9530S-GE3 за ціною від 64.53 грн до 75.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF9530S-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIHF9530S-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 75.74 грн |
| 215+ | 68.22 грн |
| 500+ | 64.53 грн |