Продукція > VISHAY > SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3

SIHF9530S-GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.75 грн
10+45.66 грн
25+40.28 грн
100+36.26 грн
500+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHF9530S-GE3 VISHAY

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Pulsed drain current: -48A, Drain current: -8.2A, Gate charge: 38nC, On-state resistance: 0.3Ω, Power dissipation: 88W, Gate-source voltage: ±20V, Case: D2PAK; TO263, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD.

Інші пропозиції SIHF9530S-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.