Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHF9Z24STRL-GE3

SIHF9Z24STRL-GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SIHF9Z24STRL-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -7.7A, Pulsed drain current: -44A, Power dissipation: 60W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції SIHF9Z24STRL-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SIHF9Z24STRL-GE3	VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн.

SIHF9Z24STRL-GE3

Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.