Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHFR120TR-GE3

SIHFR120TR-GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SIHFR120TR-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W, Case: DPAK; TO252, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Drain current: 4.9A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.27Ω, Pulsed drain current: 31A, Power dissipation: 42W, Gate charge: 16nC.

Інші пропозиції SIHFR120TR-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SIHFR120TR-GE3	VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: 4.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 42W Gate charge: 16nC	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

SIHFR120TR-GE3

Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 16nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.