Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHFR120TR-GE3
SIHFR120TR-GE3

SIHFR120TR-GE3 Vishay Semiconductors


Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHFR120TR-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W, Case: DPAK; TO252, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 16nC, On-state resistance: 0.27Ω, Drain current: 4.9A, Power dissipation: 42W, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 31A, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.

Інші пропозиції SIHFR120TR-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHFR120TR-GE3 SIHFR120TR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR120TR-GE3
SIHFR120TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.